在了解5V单片机驱动（dòng）mos管电路之前，先了解一下单片（piàn）机驱动mos管电路图及原（yuán）理，单片机驱动mos管电（diàn）路主要根据MOS管要驱动什么东西（xī），要只是一个继电器（qì）之类（lèi）的小负载的话直（zhí）接用51的引脚驱动就（jiù）可以（yǐ），要（yào）注（zhù）意（yì）电感（gǎn）类（lèi）负载要加保护二（èr）极管和吸收缓（huǎn）冲，最好用（yòng）N沟道（dào）的MOS。

如果（guǒ）驱动的（de）东西(功率)很大，(大电流、大电（diàn）压的场合)，最好要做电（diàn）气（qì）隔离、过（guò）流超压保护、温度保（bǎo）护等……此时（shí）既（jì）要隔离传送控（kòng）制信号(例如PWM信号（hào）)，也要给驱动级(MOS管（guǎn）的推动电（diàn）路（lù）)传送（sòng）电能。常（cháng）用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至（zhì）于电能的传送可以用DC-DC模块。如（rú）果是做产品的话建议自（zì）己搞一（yī）个建议的DC-DC，这样可以降低成本。然后MOS管有一种简（jiǎn）单的驱动（dòng）方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一（yī）个用（yòng）于MOS开（kāi）启驱动，一个用于（yú）MOS快速（sù）关（guān）断。
图一：适合开（kāi）关频（pín）率不（bú）高的（de）场合，一般（bān）低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由（yóu）V+决定，V+越高，R2、R3越大，以保证（zhèng）电阻及三（sān）极（jí）管功（gōng）耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压（yā）VPP=V+ 减10V，同（tóng）时V+不能大于40V。

补充（chōng）：图（tú）二：适合高频大功率场合（hé），到达100KHz没问题，同时可以并（bìng）联多（duō）个（gè）MOSFET-P管（guǎn）

R2、R3需要满足和图一一样的条件，其实就是图一加了级推挽，这样（yàng）就可以保（bǎo）证MOSFET管（guǎn）高速开关，上面6P小（xiǎo）电容是发射结（jié）结电容（róng）补偿电容，可以改（gǎi）善三极管高速开（kāi）关特性。

另外（wài）：MOSFET的栅极电容较大，在使（shǐ）用的时候应该把（bǎ）它当成一个容抗负（fù）载来看。

MOS管驱动（dòng）电路

在（zài）使用MOS管设计开关（guān）电源或者马（mǎ）达驱动（dòng）电路的时（shí）候（hòu），大部分人（rén）都（dōu）会考虑MOS的导（dǎo）通电（diàn）阻，最大电压等，最大（dà）电（diàn）流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样（yàng）的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为（wéi）正式的产品设计也是不允许的。

MOS管导通（tōng）特（tè）性

导（dǎo）通的意思（sī）是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性（xìng）：Vgs大（dà）于一定的值就（jiù）会（huì）导（dǎo）通，适合用于源极接地时的情况(低端（duān）驱动)，只要（yào）栅极电压达（dá）到（dào）4V或10V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于一（yī）定的值就会导（dǎo）通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但（dàn）是，虽然PMOS可以很方便地用作高（gāo）端驱动，但（dàn）由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱（qū）动中，通常还（hái）是（shì）使用NMOS。

MOS开关管（guǎn）损（sǔn）失

MOS管（guǎn）驱动电路不管是（shì）NMOS还是（shì）PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在（zài）这个（gè）电阻上消耗能量，这部（bù）分消（xiāo）耗（hào）的能量叫（jiào）做导通（tōng）损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导（dǎo）通损耗。现在的小（xiǎo）功率（lǜ）MOS管（guǎn）导通电阻一（yī）般在（zài）几（jǐ）十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时（shí）候（hòu），一定不是在瞬间完成的（de）。MOS两端的电压（yā）有一个下（xià）降的过程，流（liú）过的电流有一个上升的过（guò）程，在这（zhè）段时间内，MOS管的损失是电（diàn）压（yā）和电流的（de）乘积，叫做开（kāi）关损失。通常开关损失比（bǐ）导通损（sǔn）失大得多，而（ér）且开（kāi）关频率越快（kuài），损失也越（yuè）大。

导通瞬间电压和电流的（de）乘积很大（dà），造成的损（sǔn）失也就很大。缩短开关时间，可以（yǐ）减小每次导通时的（de）损失;降低开关频率，可以（yǐ）减小单（dān）位时（shí）间内的开关次数（shù）。这两种办（bàn）法都可以（yǐ）减小开（kāi）关损失。

MOS管驱（qū）动

跟双极性晶体（tǐ）管相（xiàng）比，一般认为使（shǐ）MOS管导通不需要（yào）电流（liú），只要GS电（diàn）压（yā）高于一定（dìng）的值，就可以（yǐ）了。这（zhè）个（gè）很容易做到，但是，我（wǒ）们还（hái）需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在（zài）GS，GD之间存（cún）在寄生电容，而MOS管的（de）驱动（dòng），实际上就是（shì）对（duì）电容的充放电。对电（diàn）容的充电需要一个电流，因为对（duì）电（diàn）容（róng）充电瞬（shùn）间可以把（bǎ）电容看成短路，所以瞬间电（diàn）流会比较大。选择/设（shè）计MOS管驱动时第（dì）一要注（zhù）意的是可（kě）提（tí）供（gòng）瞬间短路电（diàn）流的大小。

MOS管驱（qū）动（dòng）电路第二注意的是，普遍（biàn）用于（yú）高（gāo）端驱动的NMOS，导通时需要是栅（shān）极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要（yào）比VCC大4V或10V。如果（guǒ）在同一个系统（tǒng）里，要得（dé）到比（bǐ）VCC大的（de）电压，就要专门（mén）的升压电路了。很多马达驱动器都集（jí）成了电荷泵，要注意（yì）的是应该 选择合适的（de）外接电容，以得到足够的短路电流（liú）去驱动MOS管（guǎn）。

上边（biān）说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压（yā），设计时当（dāng）然需要有（yǒu）一定的余量。而且电压越高，导通速度越快（kuài），导通电阻也越（yuè）小（xiǎo）。现在也有（yǒu）导（dǎo）通电压更（gèng）小的MOS管用（yòng）在（zài）不（bú）同的领域里，但在12V汽车电子系（xì）统里，一般4V导通就够用了。MOS管的驱动电路及其损失，可（kě）以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以不打算（suàn）多（duō）写了。

MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛（fàn）应用（yòng）在需（xū）要电子开关的电路中，常见的如开关电（diàn）源（yuán）和马达驱动，也有照明调光（guāng）。

二、现在的MOS驱动，有几（jǐ）个特别的应用：

1、低压应用当使用（yòng）5V电源，由于三极管的（de）be有0.7V左右的压降，导致实际最（zuì）终（zhōng）加在（zài）gate上的电（diàn）压只有4.3V。这（zhè）时（shí）候，我们（men）选用标称gate电压4.5V的MOS管（guǎn）就存在一定的风险（xiǎn）。同样的问题也发生（shēng）在（zài）使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽（kuān）电压应用输入电压（yā）并（bìng）不是一个（gè）固定值，它会随着（zhe）时间或（huò）者（zhě）其他因素而（ér）变动。这个变动导致PWM电路（lù）提供（gòng）给MOS管（guǎn）的驱动电压是不稳（wěn）定的。为（wéi）了让（ràng）MOS管在高gate电压下安（ān）全，很多MOS管内（nèi）置了稳压管（guǎn）强行限（xiàn）制gate电压（yā）的幅值。在（zài）这种情况下，当（dāng）提供的驱动（dòng）电压超过（guò）稳压管的电压，就会（huì）引起较大（dà）的静态（tài）功耗。同时，如果（guǒ）简（jiǎn）单的（de）用（yòng）电阻分压的原理降低gate电压，就（jiù）会出现输入电压比（bǐ）较高的（de）时候，MOS管工作（zuò）良好，而输（shū）入电压降低的（de）时候gate电压不足，引起导通不够彻（chè）底（dǐ），从而增加功（gōng）耗。

3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者（zhě）3.3V数字电压（yā），而功率（lǜ）部分使（shǐ）用12V甚（shèn）至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。MOS管驱动电路。这就提（tí）出（chū）一个要求，需要使用一个电路，让低压侧（cè）能够有效的控制（zhì）高压侧的MOS管，同时高压（yā）侧（cè）的MOS管也同（tóng）样会面对1和2中提到的问题（tí）。