一（yī）、中国半导体器件型号命名方法
半导（dǎo）体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复（fù）合（hé）管、PIN型管、激光器件的型（xíng）号命（mìng）名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分（fèn）意义（yì）如（rú）下：

第一部分：用数字（zì）表（biǎo）示（shì）半导体（tǐ）器件有效电极（jí）数（shù）目。2-二极管、3-三（sān）极（jí）管
第二部分（fèn）：用（yòng）汉语（yǔ）拼音字母表示半（bàn）导体（tǐ）器件的材料和极性。

1、表示二极管时：A-N型锗（zhě）材料、B-P型锗材（cái）料、C-N型（xíng）硅材（cái）料（liào）、D-P型硅材（cái）料。

2、表（biǎo）示（shì）三极管时：A-PNP型锗（zhě）材料、B-NPN型锗（zhě）材料、C-PNP型硅（guī）材料（liào）、D-NPN型硅材料。
第三部（bù）分：用（yòng）汉语拼音字母表示半导体（tǐ）器件的内型。

P-普通管（guǎn）、

V-微（wēi）波（bō）管、W-稳压管、C-参（cān）量管、

Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼（ní）管、U-光电（diàn）器件、K-开关管、

X-低频（pín）小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、

G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、

D-低频大功率（lǜ）管（guǎn）（f<3MHz,Pc>1W)、

A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、

T-半导体晶闸管（可控整流器（qì））、

Y-体效应器件、B-雪崩管（guǎn）、J-阶跃恢复管、

CS-场效（xiào）应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、

PIN-PIN型（xíng）管、JG-激光器件。

二、日本半导体分（fèn）立器件型（xíng）号命名方法
    日本（běn）生（shēng）产的半导体分立器件，由五至七部（bù）分组成。通（tōng）常只用到（dào）前五个部分，其各部分（fèn）的符号意义如下（xià）：
第一部分：用数字（zì）表示（shì）器件有（yǒu）效电极数目或类型。

0-光电（即（jí）光敏）二极管三（sān）极管及上述器件的组合管（guǎn）、

1-二极管、

2三极或具有两（liǎng）个pn结的其他器件、

3-具有（yǒu）四个有效电极或具有（yǒu）三个pn结（jié）的其他器件、┄┄依此（cǐ）类推。
第二部分：日本电（diàn）子工业协会JEIA注册标志。

S-表（biǎo）示已在日本电子工业协会（huì）JEIA注（zhù）册登记的（de）半导体分立器（qì）件。
第（dì）三部分：用字（zì）母（mǔ）表示器件使（shǐ）用材料极性（xìng）和类型。

A-PNP型高频管（guǎn）、

B-PNP型低频（pín）管、

C-NPN型高频管、

D-NPN型（xíng）低（dī）频管、

F-P控（kòng）制极可控硅、

G-N控制（zhì）极可控硅、

H-N基（jī）极（jí）单结晶（jīng）体管、

J-P沟（gōu）道场效（xiào）应管、

K-N 沟道场（chǎng）效应管、

M-双（shuāng）向（xiàng）可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会（huì）JEIA登记的顺序号。两位以（yǐ）上的（de）整数-从“11”开始，表示（shì）在日本电子工业（yè）协会JEIA登（dēng）记的顺序号；不同公司的性能相同（tóng）的器件可以使用同一顺序号（hào）；数字越（yuè）大，越（yuè）是近期产品（pǐn）。
第五部分：用字（zì）母表示同一（yī）型号的改进（jìn）型产（chǎn）品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件（jiàn）是原型号产品的改（gǎi）进产品。

三、美（měi）国半导体分（fèn）立器件型号命名方法
    美国晶体管或其（qí）他半导体（tǐ）器（qì）件的命（mìng）名法较混乱（luàn）。美国电子工业（yè）协（xié）会半（bàn）导（dǎo）体分（fèn）立器件（jiàn）命名方法如下：
第（dì）一部分：用（yòng）符（fú）号（hào）表示器（qì）件（jiàn）用途的类型。

JAN-军级（jí）、JANTX-特军级（jí）、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用（yòng）数字表（biǎo）示pn结数目（mù）。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件（jiàn）、n-n个pn结器件（jiàn）。
第三部分：美国（guó）电子工（gōng）业协会（EIA）注（zhù）册标志（zhì）。N-该（gāi）器（qì）件已在美国电子工业协（xié）会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序（xù）号。多位数字-该器（qì）件（jiàn）在美国电子（zǐ）工业协会登记的顺序号。
第五部（bù）分：用字母（mǔ）表（biǎo）示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小（xiǎo）功率（lǜ）开关三（sān）极管（guǎn），JAN-军（jun1）级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记（jì）顺序号（hào）、A-2N3251A档（dàng）。

四、国际电子（zǐ）联（lián）合会半导体器件型号命名方法
    德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家（jiā）以及（jí）匈牙利、罗（luó）马尼亚、南斯拉夫、波（bō）兰等东欧国家（jiā），大都采用国际（jì）电子联合会半（bàn）导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组（zǔ）成，各部分（fèn）的符号及意义如下：
第一部分：用字（zì）母表示器件使（shǐ）用（yòng）的材料（liào）。

A-器件使用材（cái）料的禁带（dài）宽度（dù）Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器（qì）件使用（yòng）材料的Eg=1.0~1.3eV 如（rú）硅、C-器件使用（yòng）材料（liào）的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器（qì）件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化（huà）铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母（mǔ）表示器件的（de）类型及（jí）主要特征。

A-检波开关混频二极管、B-变容二（èr）极管（guǎn）、C-低频小功率三极（jí）管、

D-低（dī）频大（dà）功（gōng）率三极（jí）管（guǎn）、E-隧（suì）道二极管、F-高频小功率三极（jí）管、

G-复合器（qì）件及其他器件、H-磁（cí）敏二极管、K-开放（fàng）磁路中的（de）霍尔元（yuán）件、

L-高频大功率（lǜ）三极管、M-封闭磁路（lù）中的霍尔（ěr）元（yuán）件、

P-光敏器件、Q-发光器（qì）件、R-小（xiǎo）功率（lǜ）晶闸管、S-小功率开关（guān）管、

T-大功率（lǜ）晶闸管、U-大功（gōng）率开关管、X-倍增二极管、

Y-整流二极管、Z-稳压二极管（guǎn）。
第三部分：用（yòng）数字（zì）或（huò）字（zì）母加数字表（biǎo）示登记号。三位数字-代表通用半导体器件（jiàn）的登记（jì）序号、一个（gè）字（zì）母加二位数（shù）字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部（bù）分：用字母对同（tóng）一类型（xíng）号器件进行（háng）分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件（jiàn）按某一参数进行分档（dàng）的标（biāo）志。
除四个基本部分（fèn）外，有时还加后（hòu）缀，以区别特性或进一步分类（lèi）。常见（jiàn）后缀如下（xià）：
1、稳压二极管型号的后缀。其（qí）后缀的第一部分是一个（gè）字（zì）母，表示稳定（dìng）电压（yā）值的容许误差范围，字（zì）母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字（zì），表示（shì）标称稳定电（diàn）压的整数数（shù）值；后（hòu）缀的第三部分是字母V，代表（biǎo）小数点（diǎn），字（zì）母V之（zhī）后的数字为稳压（yā）管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后（hòu）缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压（yā）值，单位是（shì）伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字（zì），通常标出最大反向峰值耐（nài）压值和最（zuì）大反向关（guān）断（duàn）电（diàn）压中数值较小的那个电压值（zhí）。
如：BDX51-表（biǎo）示NPN硅低频大功率三极管（guǎn），AF239S-表示PNP锗高（gāo）频小功（gōng）率三极管。

五、欧洲早期半（bàn）导（dǎo）体分立器件（jiàn）型（xíng）号命名法

欧洲有些国家，如德国（guó）、荷（hé）兰采用（yòng）如下命名方（fāng）法：
第一部分：O-表示半导体器（qì）件
第二部分：A-二极（jí）管、C-三极管、AP-光电二（èr）极（jí）管（guǎn）、CP-光电三极管、AZ-稳（wěn）压（yā）管、RP-光（guāng）电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序（xù）号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示（shì）同一型号器件的变型产品。
俄罗（luó）斯（sī）半导体（tǐ）器件型号命名法由于（yú）使用少，在此不介（jiè）绍。